场发射扫描电镜

发布时间：2021-07-23

产品型号：DM750

所属分类：电子显微镜

描述： DM750场发射扫描电镜 束流大小：1pA～40nA，电子束驻留时间：≥20ns（视频级成像）。 镜筒内置韦恩过滤器，确保镜筒内探测器接受效率。 透镜系统：多级高性能透镜系统，低像差锥形物镜。 物镜光阑：三孔光阑，可实现真空外二维双轴微米级精细调节，保留手动调节功能。

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详情介绍

产品特点：

束流大小：1pA～40nA，电子束驻留时间：≥20ns（视频级成像）。

镜筒内置韦恩过滤器，确保镜筒内探测器接受效率。

透镜系统：多级高性能透镜系统，低像差锥形物镜。

物镜光阑：三孔光阑，可实现真空外二维双轴微米级精细调节，保留手动调节功能。

不少于14个可扩展接口，可接 WDS、EDS、BSE、EBSD等多种探测器

技术指标：

分辨率	二次电子分辨率：0.8nm@15kV（SE），1.5nm@1kV（SE），背散射电子分辨率：2.5nm@30kV（BSE）
放大倍数	底片放大倍率范围≥1X-3000000X,光学放大≥100倍
电子枪	肖特基热场发射电子枪
加速电压	20V～30kV，连续可调
自动调整功能	自动对中、聚焦、亮度、对比度、消像散
探测器	高真空二次电子探测器、背散射电子探测器、红外CCD，束流测量装置，光学导航
真空系统	一套溅射离子泵+一套吸气剂离子复合泵，一套涡轮分子泵，一套机械泵；样品室真空≤1E-4Pa，电子枪仓真空≤2E-7 Pa；全自动真空控制，具有真空互锁功能。
样品台	五轴全自动优中心样品台，真空内置电机，样品台行程： X≥150mm, Y≥150mm, Z≥60mm， T≥-5°～+75°, R=360°。
能谱仪	探测器：硅漂移探测器有效晶体面积：30mm2 元素探测范围：B(5) ~ Cf(98) 分辨率：Mn Kα≤129eV @100,000cps 较大输入计数率 >1,000,000cps 定量分析计数率 >100,000cps 1个探测器，2个图像通道图像分辨率：最大8K（可调节） X射线扫描分辨率：最大8K 应用定性及定量分析方法具有图谱采集功能
溅射仪	离子溅射仪工作原理：磁控溅射可选靶材：金，铂，金钯合金，铅，银，铜，铬，锑等全自动操作，简单易用，非常适用钨灯丝、台式扫描电镜等溅射电流自动调整——设定溅射电流后，系统自动调节真空度，从而达到设定的溅射电流，调整时间＜5s，波动范围＜±5%；无需按“实验”键调整溅射电流、无需操作“进气阀”。真空室：φ128×100高硅硼玻璃溅射时间自动记忆——同类样品一次设定即可；参数改变自动调整——溅射过程中可以随时调整溅射电流和溅射时长，系统自动计算叠加，无需终止溅射过程；工作完成自动放气；样品台高度调节1秒完成；溅射过程可以利用曲线显示，清晰直观。极限真空：小于1Pa 软硬件互锁，防误操作，安全可靠溅射电流高于50mA，停止溅射过程；真空泵工作时，系统无法进行放气操作；镀层均匀，导电性良好
探测器	样品室提供可扩展接口不少于14个，可以外接WDS、EDS、BSE、EBSD等多种附件和探测器。样品室内二次电子探测器（ETD）（标配）。样品室内插入式背散射探测器（标配）。 In-Column光电型探测器（标配）。 In-Column半导体型探测器（标配）。

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