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产品特点:
3nm@30kV(SE),8nm@3kV(SE),4nm@30kV(BSE)
翻开式预对中灯丝,方便更换
不少于8个可扩展接口,可接 WDS、EDS、BSE、EBSD等多种探测器
技术指标:
分辨率 |
3nm@30kV(SE),8nm@3kV(SE),4nm@30kV(BSE) |
放大倍数 |
5倍-300000倍,可调 |
电子枪 |
预对中钨阴极灯丝 |
加速电压 |
0~30kV,连续可调 |
自动调整功能 |
自动对中、聚焦、亮度、对比度、消像散 |
探测器 |
二次电子探测器、背散射电子探测器、红外CCD,束流测量装置 |
真空系统 |
抽真空系统:涡轮分子泵 + 机械泵。 样品室最高真空度优于9X10-3Pa。 抽真空时间:≤4分钟 |
样品台 |
五轴样品台: 行程:X=70mm,Y=50mm,Z=60mm,R=360°,T=-10°~+70° 较大样品直径: Ф210mm; 较大样品高度:60mm; 驱动方式:马达驱动; 样品台承重:2kg 其他功能:碰撞报警功能。 |
能谱仪 |
探测器:硅漂移探测器 有效晶体面积:30mm2 元素探测范围:B(5) ~ Cf(98) 分辨率:Mn Kα≤129eV @100,000cps 较大输入计数率 >1,000,000cps 定量分析计数率 >100,000cps 1个探测器,2个图像通道 图像分辨率:最大8K(可调节) X射线扫描分辨率:最大8K 应用定性及定量分析方法 具有图谱采集功能 |
溅射仪 |
离子溅射仪工作原理:磁控溅射 可选靶材:金,铂,金钯合金,铅,银,铜,铬,锑等 全自动操作,简单易用,非常适用钨灯丝、台式扫描电镜等 溅射电流自动调整——设定溅射电流后,系统自动调节真空度,从而达到设定的溅射电流,调整时间<5s,波动范围<±5%; 无需按“实验”键调整溅射电流、无需操作“进气阀”。 真空室:φ128×100高硅硼玻璃 溅射时间自动记忆——同类样品一次设定即可; 参数改变自动调整——溅射过程中可以随时调整溅射电流和溅射时长,系统自动计算叠加,无需终止溅射过程; 工作完成自动放气; 样品台高度调节1秒完成; 溅射过程可以利用曲线显示,清晰直观。 极限真空:小于1Pa 软硬件互锁,防误操作,安全可靠 溅射电流高于50mA,停止溅射过程; 真空泵工作时,系统无法进行放气操作; 镀层均匀,导电性良好 |
选配探测器 |
BSE、EDS、EBSD、CL、EBIC等 |
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